по-русски english


IOP publishing

ФотогалереяФизикА.СПб. фотогалерея

Важные даты

14 сентября – извещение о принятых докладах

24 сентября – крайний срок подачи тезисов POSTDEADLINE

5 октября – размещение программы на сайте

17 октября – крайний срок подачи расширенных тезисов на английском языке

24—25 октября – проведение конференции

19 ноября – размещение сборника трудов и фотоотчета о конференции на сайте

Российская молодёжная конференция по физике и астрономии

Санкт-Петербург, 24 —25 октября 2012 года
Эл. почта: mail@physica.spb.ru

Традиционная ежегодная конференция для российских молодых ученых проводится в Санкт-Петербурге с середины 90-х и собирает широкую аудиторию слушателей. Ее отличительной чертой является значительное внимание, уделяемое Программным комитетом не только научной, но и образовательной значимости представляемых докладов, что позволяет объединять в рамках одной конференции весь спектр научных направлений современной физики и астрономии.

Победители конкурса докладов

    За лучший доклад

  • Жолудев Максим Сергеевич
    Циклотронный резонанс в гетероструктурах на основе CdHgTe в сильных магнитных полях
  • Офенгейм Дмитрий Дмитриевич
    Оценка вероятности неполного покрытия квазаров облаками молекулярного водорода при формировании абсорбционных систем в спектрах квазаров
  • За лучший стендовый доклад

  • Кучаев Эдуард Кабирович
    Исследование активных сред УФ диапазона спектра на основе твердых растворов
  • Алексеев Прохор Анатольевич
    Исследование влияния химической пассивации поверхности на электрофизические свойства GaAs нанопроводов методами сканирующей зондовой микроскопии
  • Медведева Анна Александровна
    Поступательно-вращательное движение звезд в тесных двойных системах

Программа конференции

среда 24 октября
10:00 10:10 0:10 открытие конференции
10:10 10:40 0:30 Яковлев Дмитрий Георгиевич (пленарный доклад) ФТИ г. н. с. Ядерные реакции в компактных звездах
      секция «Астрономия, астрофизика, физика плазмы»
      председатель  — акад. Д. А. Варшалович
10:40 11:00 0:20 Мандель Илья (приглашенный доклад) Univ. of Birmingham Lecturer in Astrophysics Астрофизика, космология и фундаментальная физика при помощи наземных детекторов гравитационных волн // Astrophysics, Cosmology and Fundamental Physics with ground-based gravitational-wave detectors
11:00 11:15 0:15 Гогличидзе О. А. ФТИ Аспирант Влияние сверхтекучести нейтронов на эволюцию вращения нейтронных звёзд
11:15 11:30 0:15 Кантор Е. М. ФТИ, СПбГПУ научный сотрудник Новый класс колебательных g-мод и конвективная неустойчивость в нейтронных звездах
11:30 11:45 0:15 Карпов С. А. ИПМ РАН аспирант Метод прямого моделирования для многокомпонентной плазмы
11:45 12:15 0:30 перерыв
    секция «Физика квантовых структур – I»
    председатель  — чл.-корр. П. И. Арсеев
12:15 12:35 0:20 Голуб Л.Е. (приглашенный доклад) ФТИ студент 5 курса Слабая локализация в полупроводниковых системах
12:35 12:50 0:15 Фёдоров И. А. МФТИ студент 6 курса Люминесценция в массиве плазмонных наноантенн
12:50 13:05 0:15 Порубаев Ф. В. ФТИ, СПбАУ НОЦ НТ студент 5 курса Слабая локализация дырок в высокоподвижных гетероструктурах
13:05 13:20 0:15 Еременко М. В. ФТИ стажер-исследователь Природа излучающих состояний в квантовых ямах CdSe/ZnSe с самоорганизованными квантовыми точками
             
13:20 14:40 1:20 обед    
             
      секция «Транспорт в наноструктурах»
      председатель  — чл.-корр. Е. Л. Ивченко
14:40 15:00 0:20 Князев Д. А. (приглашенный доклад) ФИАН с.н.с. Одноэлектронный транзистор с механическими степенями свободы
15:00 15:15 0:15 Гильштейн Е. П. ФТИ, СПбАУ НОЦ НТ лаборантка лаборатории Физики элементарных структур на поверхности; студентка 5 курса Исследование электрических свойств одиночных (GaMn)As нитевидных нанокристаллов
15:15 15:30 0:15 Кудряшов Д. А. СПбАУ НОЦ НТ научный сотрудник Низкотемпературный рост прозрачных проводящих слоев оксида индия-олова в бескислородной среде методом ВЧ-магнетронного распыления
15:30 15:50 0:20 перерыв    
      секция «Полупроводниковые лазеры, светодиоды и фоториемники»
      председатель  —акад. Р.А.Сурис
15:50 16:05 0:15 Зубов Ф.И. СПбАУ НОЦ НТ аспирант Лазер с асимметричными барьерами: первое экспериментальное исследование
16:05 16:20 0:15 Коновалов Г. Г. ФТИ аспирант Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона
16:20 16:35 0:15 Червинский С. Д. СПбГПУ аспирант Излучательные характеристики полупроводниковых инжекционных лазеров на основе тонких асимметричных волноводов
16:35 16:50 0:15 устная презентация стендовых докладов
             
16:50 18:50 2:00 стендовая секция
             
19:00 21:00 2:00 Фуршет
6:50
четверг 25 октября
10:00 10:30 0:30 Ивченко Е. Л. (пленарный доклад) ФТИ г. н. с. Резонанасная дифракция электромагнитной волны на твердом теле
      секция «Физика квантовых структур – II»
      председатель  — проф. М. И. Дьяконов
10:30 10:50 0:20 Криштопенко С. С. (приглашенный доклад) ИФМ РАН младший научный сотрудник Обменное усиление g-фактора в узкозонных квантовых ямах
10:50 11:10 0:20 Блошкин А.  А. (приглашенный доклад) ИФП РАН научный сотрудник Спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
11:10 11:25 0:15 Дурнев М. В. ФТИ аспирант 1 года Микроскопический механизм магнитно-индуцированного смешивания тяжелых дырок в симметричных квантовых точках
11:25 11:40 0:15 Жолудев М. С. ИФМ РАН аспирант Циклотронный резонанс в гетероструктурах на основе CdHgTe в сильных магнитных полях
11:40 12:10 0:30 перерыв    
      секция «Физика поверхности, дефекты и примеси в полупроводниках»
      председатель  — проф. П. Н. Брунков
12:10 12:30 0:20 Кузнецова Я. В. (приглашенный доклад) ФТИ Новые возможности исследования структур на основе III-N электронно-зондовыми методами
12:30 12:45 0:15 Солтамов В. А. ФТИ и.о. н.с. Разработка сверхчувствительных квантовых сенсоров на основе вакансионных центров и их комплексов в SiC для исследования свойств биоматериалов.
12:45 13:00 0:15 Анисимов А. Н. ФТИ, СПбГПУ студент 5 курса Температурное сканирование спектров ОДМР NV дефектов в алмазе
13:00 13:15 0:15 Рабчанова Т. Ю. РГПУ выпускница факультета физики, 2012 U-минус центры платины в стеклообразном селениде мышьяка // Study of platinum impurity atom state in vitreous arsenic selenide
             
13:15 14:30 1:15 обед      
             
      секция «Актуальные вопросы физики твердого тела и физики полупроводников»
      председатель  — проф. А. Ю.Захаров
14:30 14:50 0:20 Силаев М. А. (приглашенный доклад) ИФМ РАН с. н. с. Топологические инварианты и нулевые фермионные моды в топологических сверхпроводниках.
14:50 15:05 0:15 Идрисов Э.Г. СПбГПУ студент 6 курса Нелинейное поглощение фемтосекундных световых импульсов при многофотонном резонансе в объемных крисаллах и наноструктурах
15:05 15:20 0:15 Клёхта Н. С. СПбГПУ выпускник Формирование откликов ядерной спиновой системы в магнито-упорядоченном веществе при воздействии импульсного и постоянного магнитных полей
15:20 15:50 0:30 перерыв      
      секция «POSTDEADLINE»
      председатели  — проф. Н. С. Аверкиев, Г. С. Соколовский
15:50 16:00 0:10 Богацкая А. В. МГУ Cтабилизация атома в сильном неклассическом электромагнитном поле
16:00 16:10 0:10 Офенгейм Д. Д. СПбГПУ Оценка вероятности неполного покрытия квазаров облаками молекулярного водорода при формировании абсорбционных систем в спектрах квазаров
16:10 16:20 0:10 Павлов В. В. КФУ Исследование спектров фотоионизации примесных ионов резонансной СВЧ методикой
16:20 16:30 0:10 Синев И.С. ФТИ, ИТМО Ближнепольная микроскопия решеток на основе стеклометаллических нанокомпозитов
16:30 16:40 0:10 Штумпф С. А. ИТМО Пространственная динамика сильного поля светового импульса из малого числа колебаний в условиях возбуждения плазмы в диэлектрической среде
16:40 16:50 0:10 Шутов А. В. ФИАН Влияние электрического поля на время жизни электронов в воздушной лазерной плазме
16:50 17:10 0:20 устная презентация стендовых докладов  
             
17:10 19:00 1:50 стендовая секция
             
19:00 19:10 0:10 Награждение победителей конкурсов докладов и закрытие конференции

Программа стендовых сессий

Cреда 24 октября
1.1 Барсунова О.Ю. ГАО О природе крупномасштабной фотометрической активности звезды типа Т Тельца V1184 Tau
1.2 Ватагин П.В. ГАО Динамика пучка ускоренных электронов и диагностика вспышечной плазмы по результатам анализа жесткого рентгеновского излучения, зарегистрированного спектрометром BATSE
1.3 Гладилин П.Е. ФТИ, СПбГПУ Ускорение релятивистских частиц в окрестности сходящихся ударных волн.
1.4 Долиндо Н.И. СПбГПУ Карта спектрального индекса Крабовидной туманности в оптическом диапозоне
1.5 Кантор Е.М. ФТИ, СПбГПУ Колебания и их затухание в сверхтекучих нейтронных звездах
1.6 Киселев А.М. МФТИ Генерация магнитного поля в галактических молекулярных облаках
1.7 Клянчин А.И. ГАО НАНУ Реголит на поверхностях галилеевых спутников и его вклад в кривые блеска
1.8 Кудашов А.Д. СПбГУ Расчет P, T-нечетного взаимодействия в молекуле RaO
1.9 Медведева А.А. МГУ Эллиптическое движение звезд в тесных двойных системах с консервативным обменом масс
1.10 Моторина Г.Г. ГАО Об определении энергетических спектров высокоскоростных электронов солнечных вспышек на основе данных их тормозного излучения
1.11 Невский Д.А. СПбГУ Прецизионные расчёты спектроскопических свойств молекулы диуглерода для астрофизических исследований
1.12 Нестеренок А.В. ФТИ, СПбГПУ Численное моделирование столкновительной и радиационной накачки Н2О мазеров в окрестностях звезд позднего спектрального класса
1.13 Откидычев П.А. ГАС ГАО РАН Особенности начальной фазы 24-го цикла солнечной активности
1.14 Семенов В.А. МФТИ, ФИАН Исследование частиц гало темной материи в поле начальных возмущений
1.15 Скрипников Л.В. ПИЯФ, СПбГУ Расчет спектроскопических свойств двухатомных молекул для экспериментов по поиску электрического дипольного момента электрона
2.1 Барановский М.В. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Фотопроводимость InGaN/GaN гетероструктур с множественными квантовыми ямами
2.2 Коновалова Е.А. ПИЯФ Вычисление электронной структуры ионов с двумя валентными электронами методом наложения конфигураций с поправками многочастичной теории возмущений
2.3 Кунделев Е.В. СПбГПУ Резонансные оптические свойства периодической системы экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
2.5 Миронова М.С. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Междолинное смешиваниt в гетероструктурах Si/SiO2
2.6 Петухов А.А. ФТИ Электролюминесцентные свойства светодиодов среднего ИК-диапазона (λmax≈3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP при температуре 20-200 °С
2.7 Хамадеев М.А. КФУ Масса покоя электрона и энергетические уровни атомов, помещенных в фотонный кристалл
3.1 Бобров М.А. ФТИ Влияние оптических потерь на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров диапазона 850 нм
3.2 Колыхалова Е.Д. ФТИ, СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Неисчезающая задержка включения в лазерах на квантовых точках
3.3 Коренев В.В. СПбАУ НОЦ НТ Явление многоуровневой генерация в лазерах на квантовых точках: аналитический и экспериментальный подход
3.4 Курин С.Ю. СПбАУ НОЦ НТ Получение ультрафиолетовых светодиодов методом хлоридно-гидридной эпитаксии
3.5 Кучаев Э.К. КФУ Исследование активных сред УФ диапазона спектра на основе твердых растворов
3.6 Ламкин И.А. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Влияние температурных воздействий на свойства фоточувствительных структур металл-AlGaN
3.7 Менькович Е.А. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Влияние процессов самонагрева на эффективность люминесценции наногетероструктур на основе полупроводниковых нитридов
3.8 Павлов М.М. ФТИ, СПбГПУ Исследование температурных зависимостей характеристик быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм
3.9 Свистунов А.Н. СПбГЭТУ (ЛЭТИ), ФТИ Получение методом газофазной эпитаксии твердых растворов согласованных по постоянной решетки с подложкой фосфида индия и их исследование
4.1 Перевозник Д.С. СПбГПУ Модифицированный фотон-корреляционный спектрометр для анализа биохимических реакции
4.2 Родина Н.П. НОЦ НТ РАН Моделирование структуры антимикробного пептида методом молекулярной динамики для рационального изменения последовательности с целью улучшения антибактериального действия
4.3 Смирнова Е.Ю. ФТИ Влияние гетерогенности натриевых каналов на спайковую активность нейрона
5.1 Боровской А.М. ИЭЭ РАН Моделирование течения газа в цилиндрических каналах высоковольтных плазмотронов со стержневыми электродами
5.2 Подольская Н.И. ФТИ Течение жидкости в микро- и наноканалах на примере воды. Моделирование методом молекулярной динамики.
5.3 Фомина Н.С. ФТИ транспорт и испарение капель в системах ионизации масс-спектрометров при атмосферном давлении в условиях вращения газа и поперечного "вытягивания" ионов
5.4 Чернышев А.С. ФТИ Моделирование течений гетерогенных сред с учетом межфазного массообмена при изменении давления
6.1 Анохин С.Л. СПбГПУ Применение оптоакустического метода со спектрально-временным стробированием для создания датчика неконтактного определения состава многокомпонентных смесей
6.2 Морозов И.А. СПбАУ НОЦ НТ Спектральная методика характеризации гетероинтерфейса AlInP/InGaP в солнечных элементах на основе InGaP.
6.3 Михайлов А.М. СПбГПУ, ФГУП "РНЦ "Прикладная химия" Использование сверхкритического эндотермического топлива
6.4 Зеленцов К.С. СПбАУ НОЦ НТ Емкостные методы исследований для характеризации гетерограницы GaInP/Ge в многопереходных солнечных элементах
6.5 Субботин Д.И. ИЭЭ РАН Плазмохимические методы снижения содержания смол в синтез-газе
6.6 Зубцов В.И. Полоцкий ГУ, МГВКГА Физико-технические аспекты и технологии эффективного использования активных сегнетопьезоэлектриков в альтернативной энергетике.
6.7 Золотухин А.В. ФТИ Увеличение мощности излучения светодиодов (λ = 1.7- 2.4 мкм) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
7.1 Смирнов П.А. ФИАН Сохраняющиеся токи калибровочных полей высших спинов
7.2 Шиков Е.Н. ПИЯФ Околопороговое рождение сигма-минус-гиперонов в pn взаимодействиях на ANKE/COSY
8.1 Афанасьева А.С. СПбГПУ Численное моделирование процессов, протекающих при синтезе фуллеренов методом дугового разряда
8.2 Бельтюков Я.М. ФТИ Критерий Иоффе-Регеля и диффузия колебаний в неупорядоченных системах
8.3 Соснин Д.В. СПбАУ НОЦ НТ Компьютерное моделирование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaP/Si
8.4 Чернов И.А. ИПМИ КарНЦ РАН, ПетрГУ Математическая модель гидридного фазового перехода на примере иттрия
Четверг 25 октября
2.4 Малыш В.А. ФТИ Определение высокочастотной проводимости двумерного электронного газа в структуре n-GaAs/AlGaAs бесконтактными способами
9.1 Бараблин Д.О. НовГУ Термодинамика бинарных растворов на основе обобщенной решеточной модели
9.2 Моргун Л.А. ФИАН Аномалия в температурной зависимости магнитосопротивления 2D-электронного газа в высокоподвижном Si-MOSFET
9.3 Панов Г.А. НовГУ Расчет диаграмм состояния бинарных растворов эвтектического типа с несколькими промежуточными фазами постоянного состава
9.4 Подольская Н.И. ФТИ Моделирование свойств полупроводниковых наноструктур методом молекулярной динамики
9.5 Поцелуев К.А. СПбГПУ Влияние структурного фактора на конфигурацию линейных вихрей в трехмерной упорядоченной джозефсоновской среде
9.6 Степашкина А.С. СПбГПУ, ФТИ Безызлучательный резонансный перенос энергии между двумя квантовыми точками
9.7 Фадеева Н.Н. СПбГЭТУ (ЛЭТИ), ФТИ Радиационные эффекты в структурах стабилизации ВАХ кремниевых детекторов релятивистских частиц.
9.8 Шнайдер А.А. НовГУ Уравнение состояния в континуальной модели бинарных растворов
10.1 Абрашова Е.В. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Создание функциональных наноматериалов на основе метталлоксидов с иерархической структурой
10.2 Алексеев П.А. ФТИ, СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Исследование влияния химической пассивации поверхности на электрофизические свойства GaAs нанопроводов методами сканирующей зондовой микроскопии.
10.3 Алексеева Н.О. ПГПУ Электрические свойства системы наночастиц нитрита натрия, введенных в пористый оксид алюминия
10.4 Ахмадеев А.А. КФУ Оптимизация синтеза фотонных кристаллов на основе диоксидов кремния и ванадия
10.5 Безнасюк Д.В. СПбАУ НОЦ НТ, СПбГПУ Исследование фотоэлектрического преобразователя на основе массивов GaAs:Be нитевидных нанокристаллов.
10.6 Бобрицкая Е.И. РГПУ, ИТМО Биополимерные пленки на основе хитозана с наноразмерными включениями
10.7 Борисова Т.М. РГПУ Механизм переноса заряда в структуре Si/Al2O3/Al
10.8 Васильченко В.Е. КФУ Возбуждение и распространение поверхностных плазмон-поляритонов в конических Au/Ag структурах
10.9 Воробьев Д.М. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Создание и диагностика газочувствительных наноматериалов на основе металлооксидов, полученных осаждением из паровой фазы
10.10 Гареев К.Г. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Получение и анализ структуры биосовместимых магнитных наноматериалов на основе металлооксидов
10.11 Колесников И.Е. СПбГУ Исследование структуры и люминесцентных свойств наночастиц YVO4:Eu
10.12 Кукин А.В. ФТИ, СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Получение пленок оксида кремния содержащих наночастицы кремния методом магнетронного распыления в атмосфере силана и аргона
10.13 Матюшкин Л.Б. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Получение, исследование и моделирование образования коллоидных квантовых точек сульфида свинца
10.14 Петров В.А. СПбАУ НОЦ НТ Особенности роста нитевидных нанокристаллов GaAs в линейных мезаструктурах
10.15 Рогов А.М. КФУ Оптические антенны с субволновой решеткой для генерации ближнего поля
10.16 Семенов А.В. НТЦ ТТЭ при ФТИ, СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Особенности тонких пленок a-SixC1-x:H используемых в качестве буферных слоев тонкопленочных солнечных элементов на основе кремния
10.17 Семерухин М.Ю. ФТИ, СПБАУ НОЦ НТ Влияние термического отжига на свойства плёнок ZnO:B выращенных методом газофазной эпитаксии.
10.18 Старцева А.В. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Формирование и исследование металлооксидных систем методом локального анодного окисления для применения в газочувствительных сенсорах
10.19 Сычикова Я.А. БГПУ О возможности применения пористого фосфида индия в качестве буфера для пленок нитрида индия
10.20 Сычикова Я.А. БГПУ Пористый фосфид индия - перспективный материал современной электроники
10.21 Тихомирова Н.С. КГТУ Перенос энергии электронного возбуждения молекул эозина, родамина 6Ж и эритрозина в гидрозоле серебра
10.22 Фирсова Т.О. НовГУ Распространение упругих волн в двухслойной структуре феррит-пьезоэлектрик
10.23 Фомичева Е.Е. РГПУ, ИТМО Исследование процессов накопления и релаксации заряда в композитных пленках полипропилена
10.24 Цибульникова А.В. КГТУ Влияние концентрации наночаcтиц серебра на плазмонный перенос энергии в порах силикагеля C-80 и пленках ПВС.
10.25 Шарков М.Д. ФТИ Рентгеновские исследования ультрадисперсных алмазов
10.26 Швидченко А.В. ФТИ Применимость метода динамического рассеяния света для анализа размеров индивидуальных чстиц детонационного наноалмаза в коллоидных растворах
10.27 Ширшнев П.С. ИТМО Кинетика окрашивания электрохромных материалов и устройств на их основе, полученных методами золь-гель технологии
10.28 Ширшнев П.С. ИТМО особенности влияния импульсного электрического поля на рост наночастиц серебра в фото-термо-рефрактивных стеклах.
10.29 Яковлев С.А. ФТИ Брэгговская дифракция и аномалии Вуда в гибридных структурах опал/Ge2Sb2Te5.
11.1 Севрюк В.А. СПбАУ НОЦ НТ Исследования одиночных слоев графена при помощи атомно-силовой микроскопии
11.2 Гребенюк Г.С. ФТИ Сверхтонкие магнитные пленки железа, кобальта и их сплавов на поверхности кремния
11.3 Кожокарь М.Ю. РГПУ Примесные центры, образующиеся в результате ядерных превращении в стеклообразных халькогенидах мышьяка
11.4 Николаева А.В. РГПУ Исследование атомов железа в GaAs и GaP методом эмиссионной мёссбауэровской спектроскопии.
11.5 Неверова Е.В. СПбГПУ, ФТИ Изучение пространственной и зарядовой корреляции центров хрома в кристалле стронция методом электронного парамагнитного резонанса
11.6 Крамущенко Д.Д. ФТИ Метод ЭПР для исследования и диагностики материалов, перспективных для использования в квантовой электронике (PbGa2S4, ZnSe).
11.7 Гурин А.С. ФТИ ОДМР исследования монокристаллов ZnO, содержащих примесные ионы железа.
11.8 Барышников К.А. СПбГПУ Поглощение ультразвука на ян-теллеровских центрах в кубических кристаллах в магнитном поле
11.9 Шиляев А.В. ФТИ Исследование дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ на подложках Si и GaAs
12.1 Гаврилов А.С. СПбГЭТУ (ЛЭТИ), ФТИ Анализ зонной диаграммы гетероструктур AlInSb/InSb и особенности их роста методом МПЭ
12.2 Дроздовский А.В. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Перестраиваемый генератор сверхвысокочастотного сигнала на основе спин-волновой линии задержки
12.3 Устинов А.Б. СПбГЭТУ (ЛЭТИ) Перестраиваемый узкополосный СВЧ фильтр на спиновых волнах
12.4 Люлякин А.П. ТГУ К вопросу о выборе архитектуры активных микрополосковых антенн для автодинных датчиков КВЧ диапазона.


Организатор

ФТИ им. А. Ф. Иоффе



Спонсорами конференции ежегодно выступают

  • Российская академия наук
  • Российский фонд фундаментальных исследований
  • Фонд некоммерческих программ «Династия»

Программный комитет

  • Аверкиев Никита Сергеевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе) – председатель
  • Арсеев Петр Иварович (ФИАН)
  • Варшалович Дмитрий Александрович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Воробьев Леонид Евгеньевич (СПбГПУ)
  • Гавриленко Владимир Изяславович (ИФМ)
  • Дьяконов Михаил Игоревич (Université Montpellier II, France)
  • Иванчик Александр Владимирович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Карачинский Леонид Яковлевич (ООО «Коннектор Оптикс», ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Кучинский Владимир Ильич (СПбГЭТУ, ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Новожилов Виктор Юрьевич (СПбГУ)
  • Пихтин Никита Александрович (ООО «Эльфолюм», ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Рудь Василий Юрьевич (СПбГПУ)
  • Соколовский Григорий Семенович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Степина Наталья Петровна (ИФП им. А. Ф. Ржанова)
  • Сурис Роберт Арнольдович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Тарасенко Сергей Анатольевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)

Организационный комитет

  • Соколовский Григорий Семенович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)- председатель
  • Азбель Александр Юльевич (КЦФЕ)
  • Дюделев Владислав Викторович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Кузнецова Яна Вениаминовна (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Лосев Сергей Николаевич (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Петров Павел Вячеславович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Поняев Сергей Александрович (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)
  • Вдовина Мария Александровна (ФТИ им. А.Ф. Иоффе)

Тематика и состав участников

Принять участие в работе Конференции приглашаются студенты, аспиранты, молодые ученые и специалисты высших учебных заведений и научных организаций, ведущие исследования в различных областях физики и астрономии. В каждый из рабочих дней Конференции будет проведено по одному пленарному докладу, которые прочтут члены-корреспонденты РАН Е. Л. Ивченко и Д. Г. Яковлев (ФТИ им. А. Ф. Иоффе).

Все секции Конференции (за исключением POSTDEADLINE) будут открываться приглашенными докладами молодых кандидатов и докторов наук, «задающими тон» последующей сессии. С приглашенными докладами выступят:

 

  • Л. Е. Голуб (ФТИ им. А. Ф.Иоффе) «Слабая локализация в полупроводниковых системах»
  • Я. В. Кузнецова (ФТИ им. А. Ф. Иоффе) «Новые возможности исследования структур на основе III-N электронно-зондовыми методами»
  • А. А. Блошкин (ИФП им. А. В. Ржанова) «Спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge»
  • Д. А. Князев (ФИАН) «Одноэлектронный транзистор с механическими степенями свободы»
  • И. Мандель (University of Birmingham, UK) «Астрофизика, космология и фундаментальная физика при помощи наземных детекторов гравитационных волн»
  • С. С. Криштопенко (ИФМ РАН) «Обменное усиление g-фактора в узкозонных квантовых ямах»
  • М. А. Силаев (ИФМ РАН) «Топологические инварианты и нулевые фермионные моды в топологических сверхпроводниках»

Конкурс докладов

Лучшие устные и стендовые доклады будут награждены дипломами и премиями.

Конкурс УМНИКов

Начиная с 2006 года, Организационный комитет включился в работу по программе «Участник молодежного научно-инновационного конкурса» (УМНИК) Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере. В рамках этой программы для участников Конференции будет организован конкурс, победители которого будут отмечены в номинации «За научные результаты, обладающие существенной новизной и среднесрочной перспективой их эффективной коммерциализации» и получат финансирование со стороны Фонда содействия для развития своих научных идей.

Место и дата проведения

Конференция состоится 24—25 октября в ФТИ им. А. Ф. Иоффе по адресу: Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Формат докладов

Доклады могут быть представлены в устной форме или в виде стенда. Продолжительность устного доклада составляет 15 минут (из них 3 минуты отводится на обсуждение).

Для стендового доклада отводится площадь 1м х 1м. Кроме этого, стендовым докладчикам будет предоставлена возможность краткого устного представления аннотации своего доклада в формате 1 минута + 1 слайд.

Публикации

Сборник тезисов будет издан к началу Конференции и вручен всем зарегистрировавшимся докладчикам.

Тезисы представляются в Организационный комитет на русском и английском языках с помощью онлайн регистрационной формы, размещенной на сайте Конференции http://PhysicA.SPb.ru. .

Для удобства участников, и тезисы докладов, и их краткие аннотации будут опубликованы на веб-сайте Конференции.

Сборник расширенных тезисов на английском языке (статей объемом 4–6 страниц) будет опубликован в журнале Journal of Physics: Conference Series. Подача расширенных тезисов производится онлайн на сайте конференции в срок до 17 октября.

Приглашение подать расширенные тезисы будет выслано одновременно с извещением о принятии доклада для представления на конференции.

Тем не менее, статьи, поступившие после указанного срока или отклоненные по результатам рецензирования, осуществляемого Программным комитетом, не будут опубликованы в Journal of Physics.



Регистрация участников

Оргвзнос для докладчиков не предусмотрен. Для прохода на территорию ФТИ им. А. Ф. Иоффе все участники Конференции должны при подаче тезисов сообщить свои паспортные данные (ФИО, номер, серия, кем и когда выдан), а также данные о месте учебы или работы.

16 июля – крайний срок подачи тезисов

14 сентября – извещение о принятых докладах

5 октября – размещение программы на сайте

17 октября – крайний срок подачи расширенных тезисов на английском языке

24—25 октября – проведение конференции

19 ноября – размещение сборника трудов и фотоотчета о конференции на сайте



Электронная почта:

mail@PhysicA.SPb.ru


`